净化铝材的净化需要什么样的气压

因为加工精度更杂乱的净化进程，使温度动摇范围的要求越来越小。例如，在大规模集成电路的出产的光刻曝光进程中，掩模资料是玻璃和硅的热胀大系数之间的差异越来越小的要求。直径为100微米的硅晶片的温度上升到一个程度，铝材就引起了0.24um的线性胀大，因此必须有一个稳定的温度的±0.1度，而需要的湿度值一般较低，因为人汗后的产品将有污染，尤其是他们惧怕钠半导体厂，这家工厂应该不会超越25度。

　 　高湿度产生更多的问题。当相对湿度超越55%时，冷凝管内壁将是，假如有一个准确的设备或电路，可引起各种事端。相对湿度在50%的防锈。此外，高湿度的空气中时，水经过在晶片表面粘附分子化学吸附在表面上的尘埃电阻难以去除。相对湿度越高，附着除去，假如相对湿度低于30%时，很简单吸附在粒子表面上的静电的影响的难度，一起很多简单发生击穿的半导体器材。关于晶圆出产35-45%的最佳温度范围内。

　 　在净化铝材室中要求的压力：

　　 关于大多数的洁净室中，为了避免从外界污染，需要坚持的内部压力(静压)高于外界的压力(静压)。要坚持压力差应契合下列一般准则：

　 　1、干净的空间压力高于非洁净空间的压力。

　 　2、高水平的清洁高于相邻的空间中的压力水平低的洁净度的空间中的压力。

　 　3、相似之处洁净室的开门，高水平的房间的清洁度。

　 　依赖于新鲜的空气，坚持的压力差，新鲜空气能够从该间隙泄漏出风的压力差，以补偿。